casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEV-HB1H4R7R
Número de pieza del fabricante | EEV-HB1H4R7R |
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Número de parte futuro | FT-EEV-HB1H4R7R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB |
EEV-HB1H4R7R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 23mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB1H4R7R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-HB1H4R7R-FT |
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XC7S6-2FTGB196C
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M1A3P1000L-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256A
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
10CL040YU484C8G
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC6VLX240T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation