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Número de pieza del fabricante | EEV-HB1H2R2R |
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Número de parte futuro | FT-EEV-HB1H2R2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB |
EEV-HB1H2R2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 2.2µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 16mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB1H2R2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-HB1H2R2R-FT |
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XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
10AX032E3F29I2SG
Intel
5CGXFC4F7M11C8N
Intel
10CL010ZM164I8G
Intel
XC4005XL-09PC84C
Xilinx Inc.
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3CSG324Q
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP20C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29C8
Intel