casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEV-HB0J470R
Número de pieza del fabricante | EEV-HB0J470R |
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Número de parte futuro | FT-EEV-HB0J470R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB |
EEV-HB0J470R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 47µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 6.3V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 46mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB0J470R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-HB0J470R-FT |
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EX128-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8
Intel
5SGSMD4K1F40C2N
Intel
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
XC5VLX30T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCM153I7G
Intel