casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEV-HB0G101R
Número de pieza del fabricante | EEV-HB0G101R |
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Número de parte futuro | FT-EEV-HB0G101R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB |
EEV-HB0G101R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 4V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 61mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | - |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | 0.209" L x 0.209" W (5.30mm x 5.30mm) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB0G101R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEV-HB0G101R-FT |
EEV-HD1A101P
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EEV-HD1E470P
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EEV-HD1V220P
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A40MX04-VQG80M
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XC3S1400A-4FGG676C
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M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation