casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEU-TP1E512
Número de pieza del fabricante | EEU-TP1E512 |
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Número de parte futuro | FT-EEU-TP1E512 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TP |
EEU-TP1E512 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 5100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 25V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 125°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 135°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Aplicaciones | Automotive |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 2.784A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 2.9A @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.295" (7.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.709" Dia (18.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.319" (33.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEU-TP1E512 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEU-TP1E512-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ256B
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
10M16DAF256I7G
Intel
EP3SE260F1517C4N
Intel
EP20K30EFC144-1
Intel
5SGXMABN3F45I3LN
Intel
EP2SGX90EF1152C5ES
Intel