casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEU-EB1J3R3SB
Número de pieza del fabricante | EEU-EB1J3R3SB |
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Número de parte futuro | FT-EEU-EB1J3R3SB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EB |
EEU-EB1J3R3SB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 3.3µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 63V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 20mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 82.5mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.472" (12.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEU-EB1J3R3SB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEU-EB1J3R3SB-FT |
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XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
AGLP125V2-CSG289
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35I2LG
Intel
5AGXFB1H4F35C5N
Intel