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Número de pieza del fabricante | EEU-EB1H101SJ |
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Número de parte futuro | FT-EEU-EB1H101SJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EB |
EEU-EB1H101SJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 100µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 99mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 128.7mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.138" (3.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEU-EB1H101SJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEU-EB1H101SJ-FT |
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LCMXO640E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
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XC2S50E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-3N
Intel
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP1S40F1508C7N
Intel