casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEA-GA1HR10B
Número de pieza del fabricante | EEA-GA1HR10B |
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Número de parte futuro | FT-EEA-GA1HR10B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GA |
EEA-GA1HR10B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Capacidad | 0.1µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 1.1mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 1.7mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEA-GA1HR10B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEA-GA1HR10B-FT |
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LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP4SGX180FF35C3N
Intel