casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEA-GA1H4R7
Número de pieza del fabricante | EEA-GA1H4R7 |
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Número de parte futuro | FT-EEA-GA1H4R7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GA |
EEA-GA1H4R7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 26mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 40.3mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEA-GA1H4R7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEA-GA1H4R7-FT |
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Xilinx Inc.
XCVU095-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel
5AGXMA5G6F31C6N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel