casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEA-GA1H4R7
Número de pieza del fabricante | EEA-GA1H4R7 |
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Número de parte futuro | FT-EEA-GA1H4R7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GA |
EEA-GA1H4R7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 26mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 40.3mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.059" (1.50mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEA-GA1H4R7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEA-GA1H4R7-FT |
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Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL340H1152C4
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
A40MX04-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO256E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation