casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEA-GA1H3R3B
Número de pieza del fabricante | EEA-GA1H3R3B |
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Número de parte futuro | FT-EEA-GA1H3R3B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GA |
EEA-GA1H3R3B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 3.3µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 50V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 22mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 34.1mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEA-GA1H3R3B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEA-GA1H3R3B-FT |
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APA075-TQG144
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C80U484C8
Intel
EP4SGX290FH29I4
Intel
5SGXMA4K3F35I3N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35E2SG
Intel
EP3SE110F780C4N
Intel
EPF10K100EQC208-1
Intel