casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / EEA-GA1E330B
Número de pieza del fabricante | EEA-GA1E330B |
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Número de parte futuro | FT-EEA-GA1E330B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GA |
EEA-GA1E330B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 33µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 25V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 75mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 116.2mA @ 100kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.197" (5.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEA-GA1E330B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EEA-GA1E330B-FT |
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Xilinx Inc.
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M1A3P600-1PQG208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4CE6F17C7N
Intel
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX125EF29I5N
Intel