casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR-FT |
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation