casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR-FT |
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel