casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR-FT |
EDF8132A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MC-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MD-GD-F-R
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel