casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PB-GDTJ-F-R |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PB-GDTJ-F-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PB-GDTJ-F-R-FT |
EDF8132A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel