casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PB-GD-F-R
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PB-GD-F-R |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PB-GD-F-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PB-GD-F-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-GD-F-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PB-GD-F-R-FT |
EDF8132A3MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel