casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFA112A2PF-GD-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFA112A2PF-GD-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDFA112A2PF-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (128M x 128) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFA112A2PF-GD-F-R TR-FT |
DS28E81+T
Maxim Integrated
DS28E81P+
Maxim Integrated
DS28E81P+T
Maxim Integrated
DS28EL15GA+U
Maxim Integrated
DS28EL15Q-742+3TW
Maxim Integrated
DS28EL15Q-742+4TW
Maxim Integrated
DS28EL15Q-742+5TW
Maxim Integrated
DS28EL15Q-742+6TW
Maxim Integrated
DS28EL35QA-742+2BW
Maxim Integrated
DS28EL35QA-742+2TW
Maxim Integrated
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel