casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDBA164B2PR-1D-F-D
Número de pieza del fabricante | EDBA164B2PR-1D-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDBA164B2PR-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDBA164B2PR-1D-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 216-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 216-FBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDBA164B2PR-1D-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDBA164B2PR-1D-F-D-FT |
FT24C128A-ESG-T
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C32A-ETR-T
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C64A-ESG-B
Fremont Micro Devices Ltd
GD25LE128DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE16CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel