casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR-FT |
W25Q128FVBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBIF
Winbond Electronics
W25Q256FVBIF TR
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W25Q256FVBIG TR
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W25Q256FVBIP
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W25Q256FVBIP TR
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W25Q256FVBJQ
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W25Q256FVBJQ TR
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W25Q32BVTBJG
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W25Q32BVTBJG TR
Winbond Electronics
XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel