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Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Name: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

Número de pieza de MFG: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Cantidad disponible: 17850 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR.pdf

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Número de pieza del fabricante	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Número de parte futuro	FT-EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria	4Gb (128M x 32)
Frecuencia de reloj	533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-FT

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