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EDB4064B4PB-1DIT-F-R Image

Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Número de pieza de MFG
EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Cantidad disponible
57400 Piezas
Precio de referencia
USD 14.832
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Número de parte futuro FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-R
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria 4Gb (64M x 64)
Frecuencia de reloj 533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 216-WFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 216-WFBGA (12x12)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EDB4064B4PB-1DIT-F-R-FT

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