casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Número de pieza del fabricante | EDB4064B4PB-1DIT-F-R |
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Número de parte futuro | FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (64M x 64) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 216-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 216-WFBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB4064B4PB-1DIT-F-R-FT |
MT41K512M8RH-125 XIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel