casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB4064B3PP-1D-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB4064B3PP-1D-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB4064B3PP-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4064B3PP-1D-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (64M x 64) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 240-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 240-FBGA (14x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B3PP-1D-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB4064B3PP-1D-F-D-FT |
DS1200
Maxim Integrated
DS1201
Maxim Integrated
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Maxim Integrated
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Maxim Integrated
DS1245X-70+
Maxim Integrated
DS1245X-70IND+
Maxim Integrated
M2GL010T-FG484
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EP1SGX25DF672C5N
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EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
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LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel