casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB4064B3PB-8D-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB4064B3PB-8D-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB4064B3PB-8D-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB4064B3PB-8D-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (64M x 64) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 216-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 216-WFBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B3PB-8D-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB4064B3PB-8D-F-D-FT |
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel