casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q256FVBIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJG
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W25Q32BVTBJG TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP
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W25Q32BVTBJP TR
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W25Q32FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ
Winbond Electronics
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel