casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB1332BDBH-1DAAT-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB1332BDBH-1DAAT-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (32M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1332BDBH-1DAAT-F-D-FT |
W25Q32BVTBJG
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJG TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel