casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
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W25Q64CVTBIP TR
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M2GL010TS-1FG484I
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A54SX72A-PQG208
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10M08DAF256C7G
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5SGXEA4K1F40C2N
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EP4CE15E22C8L
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EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel