casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
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W25Q64CVTBIP TR
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W25Q64FVTBIG
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W25Q64FVTBJQ
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W971GG8SB-25
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W9751G8KB-25
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W971GG8JB-25
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LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel