casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
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W25Q64CVTBIP TR
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W25Q64FVTBJQ TR
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W971GG8SB-25
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APA750-FG896A
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Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
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10AX027H2F35I2LG
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Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
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EP2AGX190FF35C4N
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5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel