casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-FT |
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
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W25Q64CVTBIP
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W25Q64CVTBIP TR
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LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
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10M25DAF484C8G
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XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel