casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB1316BDBH-1DAUT-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB1316BDBH-1DAUT-F-D-FT |
W25Q32FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64CVTBIP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTBIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTBJQ TR
Winbond Electronics
W971GG8SB-25
Winbond Electronics
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation