casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ECH8695R-TL-W
Número de pieza del fabricante | ECH8695R-TL-W |
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Número de parte futuro | FT-ECH8695R-TL-W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ECH8695R-TL-W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 24V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.4W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-28FL/ECH8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECH8695R-TL-W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ECH8695R-TL-W-FT |
NVMFD5C650NLT1G
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