casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / E4D20120A
Número de pieza del fabricante | E4D20120A |
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Número de parte futuro | FT-E4D20120A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, E |
E4D20120A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 54.5A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 20A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E4D20120A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E4D20120A-FT |
1N4006L-T
Diodes Incorporated
1N4007-B
Diodes Incorporated
1N4007GL-T
Diodes Incorporated
1N4007L-T
Diodes Incorporated
1N4933GL-T
Diodes Incorporated
1N4933L-T
Diodes Incorporated
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1N4936GL-T
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80A
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XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
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AGLN125V5-VQ100I
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