casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3ZM-B66
Número de pieza del fabricante | E3ZM-B66 |
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Número de parte futuro | FT-E3ZM-B66 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3ZM |
E3ZM-B66 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Retroreflective |
Distancia de detección | 3.937" ~ 19.685" (100mm ~ 500mm) ADJ |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Connector |
Protección de ingreso | IEC IP67, IP69K |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | Teaching Method |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 60°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3ZM-B66 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3ZM-B66-FT |
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M1A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
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