casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3Z-T81C-G0SRD-CN
Número de pieza del fabricante | E3Z-T81C-G0SRD-CN |
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Número de parte futuro | FT-E3Z-T81C-G0SRD-CN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3Z |
E3Z-T81C-G0SRD-CN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 15m |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | PNP Transistor |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IEC IP67, IP69K |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (870nm) |
Tipo de ajuste | Single-Turn |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-T81C-G0SRD-CN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3Z-T81C-G0SRD-CN-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-3
Intel
EP4CGX75DF27C7
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CS289I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel