casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3Z-T81-M1TJ 0.3M
Número de pieza del fabricante | E3Z-T81-M1TJ 0.3M |
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Número de parte futuro | FT-E3Z-T81-M1TJ 0.3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3Z |
E3Z-T81-M1TJ 0.3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 15m |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | PNP Transistor |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IEC IP67, IP69K |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (870nm) |
Tipo de ajuste | Single-Turn |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-T81-M1TJ 0.3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3Z-T81-M1TJ 0.3M-FT |
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XC6SLX75-N3FG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208B
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-1
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EP2C5Q208C7
Intel
5SGXEA3H3F35I3N
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