casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M
Número de pieza del fabricante | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
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Número de parte futuro | FT-E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3Z |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 15m |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | PNP Transistor |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IEC IP67, IP69K |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (870nm) |
Tipo de ajuste | Single-Turn |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M-FT |
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LFXP3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
AT6010ALV-4QC
Microchip Technology
EP20K200FC484-1
Intel
5SGXEABN2F45I3LN
Intel
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N3F40E2LG
Intel
EP2SGX30DF780C4
Intel