casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3Z-G82
Número de pieza del fabricante | E3Z-G82 |
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Número de parte futuro | FT-E3Z-G82 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3Z-G |
E3Z-G82 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 0.984" (25mm) |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IEC IP64 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (940nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-G82 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3Z-G82-FT |
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EP2C5T144C8N
Intel
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484I8N
Intel
EP3C10U256C7
Intel
10M25SCE144A7G
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7VX485T-1FFG1158I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation