casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3Z-G81-M1J-1 0.3M
Número de pieza del fabricante | E3Z-G81-M1J-1 0.3M |
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Número de parte futuro | FT-E3Z-G81-M1J-1 0.3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3Z-G |
E3Z-G81-M1J-1 0.3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 0.984" (25mm) |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IEC IP64 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (940nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-G81-M1J-1 0.3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3Z-G81-M1J-1 0.3M-FT |
E32-DC200F4R
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E32-L15 2M
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Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
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10CL055YF484C8G
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EP3C16F256C8N
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation