casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3S-CT11-D 5M
Número de pieza del fabricante | E3S-CT11-D 5M |
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Número de parte futuro | FT-E3S-CT11-D 5M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3S-C |
E3S-CT11-D 5M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 1181.102" (30m) |
Suministro de voltaje | 12V ~ 24V |
Tiempo de respuesta | 1ms |
Configuración de salida | - |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | NEMA 1, 4X, 6P, 12, 13; IEC 144 IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (880nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, 3/4-Turn Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3S-CT11-D 5M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3S-CT11-D 5M-FT |
CX-443-P-Z
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CX-442
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CX-442-Z
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LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU11P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P250L-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
EP3C10F256C7
Intel
5SGXEBBR2H43I2
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.