casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3JM-R4R4T-G-33
Número de pieza del fabricante | E3JM-R4R4T-G-33 |
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Número de parte futuro | FT-E3JM-R4R4T-G-33 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3JM |
E3JM-R4R4T-G-33 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Retroreflective |
Distancia de detección | 157.480" (4m) |
Suministro de voltaje | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Tiempo de respuesta | 5ms |
Configuración de salida | Light-On/Dark-On |
Método de conexión | Terminal Block |
Protección de ingreso | IEC IP66 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (660nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-R4R4T-G-33 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3JM-R4R4T-G-33-FT |
PA18CRR50NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CLR30TO
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CLD01TO
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CAB20NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CAD04NAWS
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CAD10PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CAP50PASA
Carlo Gavazzi Inc.
EP2C5T144C8N
Intel
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484I8N
Intel
EP3C10U256C7
Intel
10M25SCE144A7G
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7VX485T-1FFG1158I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation