casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3JM-R4M4T-G
Número de pieza del fabricante | E3JM-R4M4T-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-E3JM-R4M4T-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3JM |
E3JM-R4M4T-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Retroreflective |
Distancia de detección | 157.480" (4m) |
Suministro de voltaje | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Tiempo de respuesta | 30ms |
Configuración de salida | Relay - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Terminal Block |
Protección de ingreso | IEC IP66 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (660nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-R4M4T-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3JM-R4M4T-G-FT |
PD112CNB25BPM1
Carlo Gavazzi Inc.
PD112CNB25BP
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRD08NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRD08PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRP40PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CLR30TO
Carlo Gavazzi Inc.
A54SX16A-FG144I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQ100
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-3N
Intel
5SGXEA5N3F45I3N
Intel
5SGXEB6R2F43C1N
Intel
EP4SE530H35C4
Intel
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
EP4SGX110DF29C4N
Intel