casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3JM-10DM4T-US
Número de pieza del fabricante | E3JM-10DM4T-US |
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Número de parte futuro | FT-E3JM-10DM4T-US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3JM |
E3JM-10DM4T-US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 393.7" (10m) 32.8' |
Suministro de voltaje | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Tiempo de respuesta | 30ms |
Configuración de salida | Relay - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Terminal Block |
Protección de ingreso | IEC IP66 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (950nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-10DM4T-US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3JM-10DM4T-US-FT |
E3FZ-D67
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EP4CGX75DF27C7
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Xilinx Inc.
AGLP125V2-CS289I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40I3SG
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EP2S90F780I4N
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