casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3H2-T4C4M-M1
Número de pieza del fabricante | E3H2-T4C4M-M1 |
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Número de parte futuro | FT-E3H2-T4C4M-M1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3H2 |
E3H2-T4C4M-M1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 157.480" (4m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 2.5ms |
Configuración de salida | NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Connector |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (880nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3H2-T4C4M-M1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3H2-T4C4M-M1-FT |
E32-D21B
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XC2VP2-6FGG256C
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XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C5E144A7N
Intel
5SGXEA7N2F45I2
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ160I
Microsemi Corporation
EP20K100QC208-2X
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel