casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / E3F2-R2C4-E
Número de pieza del fabricante | E3F2-R2C4-E |
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Número de parte futuro | FT-E3F2-R2C4-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3F2 |
E3F2-R2C4-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Retroreflective |
Distancia de detección | 3.937" ~ 78.740" (100mm ~ 2m) ADJ |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 2.5ms |
Configuración de salida | NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de conexión | Wire |
Protección de ingreso | IP66 NEMA |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Infrared (850 - 880nm) |
Tipo de ajuste | Fixed |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3F2-R2C4-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | E3F2-R2C4-E-FT |
E3C-S50D
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E3C-S50L
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Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FGG484C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256C
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XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EP4CE40F23C9L
Intel
XCV50-4BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation