casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / DVRN6056-7-F
Número de pieza del fabricante | DVRN6056-7-F |
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Número de parte futuro | FT-DVRN6056-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DVRN6056-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN + Zener Diode (Isolated) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
Potencia - max | 300mW |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-26 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DVRN6056-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DVRN6056-7-F-FT |
BCX5416TA
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2DD1664R-13
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DXT2907A-13
Diodes Incorporated
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel