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Número de pieza del fabricante | DURF1030CT |
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Número de parte futuro | FT-DURF1030CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DUR |
DURF1030CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 45ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 300V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DURF1030CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DURF1030CT-FT |
BAT160C,115
Nexperia USA Inc.
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors
BYV415K-600PQ
WeEn Semiconductors
BAV99QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV170QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56QAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel