casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTD513ZMGT2L
Número de pieza del fabricante | DTD513ZMGT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTD513ZMGT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTD513ZMGT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 260MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD513ZMGT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTD513ZMGT2L-FT |
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
XC4028XL-09BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160A
Microsemi Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel