casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTC043ZMT2L
Número de pieza del fabricante | DTC043ZMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTC043ZMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC043ZMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC043ZMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTC043ZMT2L-FT |
RN1107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-1
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
10M16DCF484C7G
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2LG
Intel