casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTB523YMT2L
Número de pieza del fabricante | DTB523YMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTB523YMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB523YMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 260MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB523YMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTB523YMT2L-FT |
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC484-1X
Intel
5SGXEA5N3F40C3N
Intel
EP4SE530H40C2N
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160A
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation