casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTA115EMT2L
Número de pieza del fabricante | DTA115EMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTA115EMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA115EMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 20mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 100 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115EMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTA115EMT2L-FT |
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1313(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2304(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
Intel