casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTA043EMT2L
Número de pieza del fabricante | DTA043EMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTA043EMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA043EMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA043EMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTA043EMT2L-FT |
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel