Número de pieza del fabricante | DST580S |
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Número de parte futuro | FT-DST580S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DST580S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 720mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 400µA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 245pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST580S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DST580S-FT |
PMEG4010EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEGWJ
Nexperia USA Inc.
GF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel