casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / DSS4160FDB-7
Número de pieza del fabricante | DSS4160FDB-7 |
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Número de parte futuro | FT-DSS4160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSS4160FDB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 405mW |
Frecuencia - Transición | 175MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS4160FDB-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSS4160FDB-7-FT |
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EF672C1XDO
Intel
5SGXEA7K3F40I3L
Intel
XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
AGL030V2-QNG132
Microsemi Corporation
LFXP20C-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19I7N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel