casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / DSS4160FDB-7
Número de pieza del fabricante | DSS4160FDB-7 |
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Número de parte futuro | FT-DSS4160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSS4160FDB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 405mW |
Frecuencia - Transición | 175MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS4160FDB-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSS4160FDB-7-FT |
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel